【專題演講】1040610The influence of selective chemical doping on clean, low-carrier density SiC epitaxial graphene

  • 2015-06-10
  • Ruling Digital
講 題:The influence of selective chemical doping on clean, low-carrier density SiC epitaxial graphene
主講人:美國 NIST 莊家翔博士
日 期:104年6月10日
時 間:13:10~14:55
地 點: 格致館一樓22101教室