【專題演講】1040610The influence of selective chemical doping on clean, low-carrier density SiC epitaxial graphene

• 2015-06-10
• RulingDigital

講 題：The influence of selective chemical doping on clean, low-carrier density SiC epitaxial graphene
主講人：美國 NIST 莊家翔博士
日 期：104年6月10日
時 間：13:10~14:55
地 點： 格致館一樓22101教室